Вашпанов Ю. О. Адсорбційна чутливість напівпровідникових матеріалів групи А2В6, оксидів важких металів та кремнію з реальною поверхнею з кластерними структурами.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0599U000371

Облікова картка дисертації

0599U000371.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

10-09-1999

Спеціалізована вчена рада

Д41.051.01.

Анотація

В дисертації подано результати досліджень адсорбційної чутливості напівпровідникових матеріалів групи А2В6, оксидів важких металів і пористого кремнію. Встановлено, що високу адсорбційну чутливість мають зразки, що леговані і містять на поверхні кластери, одержані методом поверхневого легування та іонної імплантації атомів важких металів і спеціально обробленої поверхні пористого кремнію. Розроблено фізичні моделі адсорбційної чутливості матеріалів, на основі якої проводився цілеспрямований пошук технології виготовлення газових сенсорів.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах