Тулупенко В. М. Iнвертованi стани носiїв струму у напiвпровiдниках для середньої (l > 10...50 мкм) i далекої iнфрачервоної (l > 50...200 мкм) областей спектру

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0599U000573

Облікова картка дисертації

0599U000573.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-11-1999

Спеціалізована вчена рада

D26.001.31

Анотація

Показанi переваги геометрiї полiв Фогта перед геометрiїю Фарадея -для лазеру на мiжпiдзонних переходах дiрок у германiї у схрещених електричному i магнiтному полях, i схрещених напрямкiв одноосьового тиску i електричного поля перед збiжними напрямами останнiх -для внутрiшньоцентрової iнверсiї дiрок у германiї. Висунуто (iз спiвавторами) i теоретично i експериментально обгрунтовано пропозицiю по утворенню лазеру на мiжпiдрiвневих переходах носiїв струму у системi вертикально пов'язаних квантових точок.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах