Кубай Р. Ю. Вплив внутрішніх меж наногетеросистем на електронні та екситонні стани.

Об'єкт дослідження. Кристали різної симетрії та розмірності. Мета дослідження. Знаходження потенціальної енергії взаємодії квазічастинок з межами поділу середовищ у багатошарових гетероструктурах. Методи дослідження. Розвязання рівнянь Пуасона, Лапласа, Шредінгера. Теоретичні і практичні результати, новизна. Вперше знайдено потенціал сил електростатичних зображень для багатошарових сферичних структур. Розраховано і проаналізовано його залежність від розмірів кристалу. Вперше в рамках моделі перехідного шару, в якому діелектрична проникність являється неперервною функцією координати, знайдена потенціальна енергія взаємодії квазічастинок з межами поділу для багатошарових ситем. Розраховано і проаналізовано її залежності від товщини перехідних шарів та вибору різних пробних функцій. Вперше досліджено вплив перехідних шарів на електронні та екситонні спектри у багатошарових гетероструктурах. Ступінь впровадження. Результати можуть використовуватися в Інституті фізики напівпровідників НАН України, Чернівець кому національному університеті ім. Ю.Федьковича при дослідженні електронних, екситонних, фононних спектрів. Сфера впровадження. Напівпровідникова електроніка