Сєліверстова С. Р. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0401U001245

Облікова картка дисертації

0401U001245.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки

06-04-2001

Спеціалізована вчена рада

Д 67.052.03

Анотація

Гомо- та гетероструктури на основі GaAs, отримані ГФЕ та РФЕ. Визначення зв'язку між мікромеханічними властивостями епітаксійних структур та умовами їх отримання. Дослідження проводились з використанням методів індентування та склерометрії за допомогою піраміди Віккерса; мікроскопії, ФЛ, ефекту Холлу. Встановлено, що в GaAs, легованому Si, мікротвердість змінюється зі зміною ступеня компенсації. За допомогою розробленого метода дослідження деформованих областей травленням парами йоду, встановлено, що в Ge-GaAs напрямок деформації змінюється при досягненні гетеромежі. Сферою використання є виробництво напівпровідникових приладів

Читати повністю

Схожі дисертації

0421U103895

Цибуленко Вадим Володимирович

Розробка методу скануючої рідиннофазної епітаксії

0421U103434

Непокупна Тетяна Анатоліївна

Технологія виробництва комбінованих детекторів іонізуючого випромінювання

0421U103151

Косуля Олександр Валерійович

Розробка методик мас-спектрометрії для дослідження діелектричних матриць та напружених нанорозмірних структур

0421U103025

Могиляк Іван Адріанович

Лазерне мікро- наноструктурування та легування приповерхневих шарів напівпровідникових матеріалів.

0521U101588

Сніжко Дмитро Вікторович

Концепція побудови сенсорних систем з використанням нанофотонних та наноелектрохімічних технологій