Ренгевич О. Є. Вплив (-радіації і НВЧ випромінюванняна параметри GaAs польових транзисторівз бар'єром Шотткі.

Показано, що зміну параметрів малошумливих НВЧ польових транзисторів з бар'єром Шотткі при дії (-радіації Со60 визначають процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. У діапазоні доз опромінення 106 ( 2(107 Р, внаслідок радіаційно-стимульованої релаксації внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах, спостерігається поліпшення параметрів транзисторів. Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть при незначних тривалостях обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально отримано, що, аналогічно випадку (-опромінювання, існує діапазон тривалостей обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ.