Фейер В. М. Збудження електронних станів Si, Ge і Mg повільними електронами

Об'єкт дослідження: різномодифіковані поверхні монокристалічного p-Si(100), грані (111), (100), (110) монокристалічного Ge, свіжонапиленні й окислені шари Mg. Мета дослідження: встановлення закономірностей пружного і непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів поверхнями p-Si(100), Ge(111), Ge(100), Ge(110) і Mg. Методи дослідження: низькоенергетична електронна спектроскопія. Наукова новизна результатів. Встановлено, що особливості в спектрах втрат енергії і на енергетичних залежностях інтенсивності пружного розсіювання в області < 5 еВ обумовлені збудженням електронних станів p-Si(100), Ge(111), Ge(100), Ge(110) і Mg. Показано вплив модифікації, кристалічної орієнтації і хімічної чистоти поверхні на процеси пружного і непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів. Виявлено нові поверхневі електронні стани для досліджених поверхонь германію з енергіями ~0.18 еВ і ~ 0.25 еВ у забороненій зоні. Ступінь упровадження: планується. Сфера (галузь) використання: мікро- і наноелектроніка.