Данилець Є. В. Позиційно-чутливі фотоприймачі на основі Si і епітаксійних структур GaAs (отримання, властивості, застосування)

Об'єкт - явище виникнення фото-ЕРС, яка лінійно залежить від координати світлової плями на поверхні фотоприймача; мета - розробка технології виготовлення ПЧФ із поліпшеними параметрами як на основі традиційних напівпровідникових матеріалів, так і з використанням напівпровідникових структур, що раніше не застосовувалися для виготовлення ПЧФ, а також дослідження їх характеристик і розширення областей їх застосування; методи - оптичні та електричні, математичне моделювання з використанням ЕОМ; новизна - вперше запропоновано оригінальну технологію виготовлення розділяючої канавки для діагонально-розділених кремнієвих ПЧФ з використанням анізотропного травлення, вперше виготовлені ПЧФ на епітаксійних структурах GaAs:Si, вперше проведено чисельне моделювання позиційної характеристики двокоординатних, вперше виготовлені і експериментально досліджені ПЧФ на основі легованої надгратки в системі р-GaAs-n-GaAs; результати - розроблена технологія виготовлення ПЧФ з поліпшеними параметрами як на основі традиційнихнапівпровідникових матеріалів, так і з використанням напівпровідникових структур, що раніше не застосовувались для виготовлення ПЧФ; галузь впровадження - автоматичні системи контролю