Мрихін І. О. Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U001949

Облікова картка дисертації

0406U001949.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки

26-04-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 35.052.12

Національний університет "Львівська політехніка"

Анотація

Досліджено закономірності комплексного впливу ізовалентних, рідкісноземельних елементів та електрично активних легуючих домішок на електрофізичні властивості епітаксійних шарів на основі GaAs в технології низькотемпературної РФЕ. Встановлено оптимальні режими отримання сильно- та слаболегованих шарів p-AlGaAs. Виготовлено модельну подвійну лазерну гетероструктуру та отримано лазерну генерацію при густині порогового струму 4 кА/см2.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0421U103895

Цибуленко Вадим Володимирович

Розробка методу скануючої рідиннофазної епітаксії

0421U103434

Непокупна Тетяна Анатоліївна

Технологія виробництва комбінованих детекторів іонізуючого випромінювання

0421U103151

Косуля Олександр Валерійович

Розробка методик мас-спектрометрії для дослідження діелектричних матриць та напружених нанорозмірних структур

0421U103025

Могиляк Іван Адріанович

Лазерне мікро- наноструктурування та легування приповерхневих шарів напівпровідникових матеріалів.

0521U101588

Сніжко Дмитро Вікторович

Концепція побудови сенсорних систем з використанням нанофотонних та наноелектрохімічних технологій