Боцула О. В. Нестійкості струму в GaAs з ударною іонізацією та тунельними ефектами

Об'єкт дослідження: процеси переносу заряду в напівпровідниках при поєднанні ефекту міждолинного переносу електронів (МПЕ) з ударною іонізацією та тунелюванням;мета – збільшення ефективності генерації і розширення частотного діапазону діодів з МПЕ за рахунок використання тунельних явищ і ударної іонізації для створення нових активних і функціональних елементів; методи – інтегро–інтерполяційний метод Тихонова і Самарського,ітераційні методи,метод перетворення Фур'є; новизна – Встановлені особливості виникнення нестійкостей струму в діодах на GaAs, що містять нейтральні центри захоплення електронів. Вперше досліджено перехідні процеси в цих діодах в умовах виникнення високочастотної генерації. Запропоновано нові діодні структури з активною областю, що ввімкнена послідовно з тунельним або резонансно-тунельним переходом. Визначені їх статичні та частотні характеристики. Вперше встановлено, що генерація в діоді з резонансно-туннельним катодом може відбуватися як за рахунок ефекту МПЕ, так і за рахунок резонансного тунелювання і визначені її ефективності.