Олійник С. В. Модифікація електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-хZnхTe для електронної техніки

Об'єкт дослідження - технологічні процеси росту з розплаву і післяростової обробки кристалів групи II-VI. Мета дослідження - розробка наукових основ технології післяростової модифікації електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів групи II-VI для електронної техніки. Методи дослідження - оптико-поляризаційної і електронної мікроскопії, скануючої електронної мікроскопії з рентгенівським мікроаналізом, стандартні та вдосконалені методи дослідження електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів групи II-VI. Результати - створено наукове підґрунтя для синтезу нових та вдосконалення відомих технологічних процесів виробництва електронних засобів з використанням кристалів групи II-VI. Впровадження - галузеве. Подальше використання результатів - у науково-дослідних, проектних та виробничих організаціях, що виробляють зазначені кристали та електронні пристрої з їх застосуванням.