Русецький І. А. Фотоелектрохімічні процеси на модифікованих GaAs- і InР- електродах

Дисертація присвячена вивченню фотоелектрохімічних процесів на модифікованих GaAs- і InР- електродах, а також можливості використання модифікованих електродів у фотоелектрохімічних системах для перетворення сонячного світла та акумулювання водню. Розроблено методику модифікування поверхні GaAs- і InP-електродів наночастками Pt, Au, CdS, фуллеритами та Zn. Знайдено, що фотоелектрохімічні процеси на GaAs- і InP- електродах протікають за участю поверхневих електронних станів, при цьому модифікування поверхні призводить до зменшення їх концентрації та зменшення рекомбінаційних втрат носіїв заряду і посилення фотокаталітичної активності поверхні, у результаті чого зростала ефективність фотоперетворення. Показано, що модифіковані GaAs- фотоаноди в сполученні з катодами на основі сплавів La-Ni-Co-Al є ефективними матеріалами для перетворення енергії сонячного світла з акумулюванням водню.