Хозя П. О. Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaАs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів

Об'єкт дослідження - ростова камера вирощування монокристалів GaАs LEC методом; предмет дослідження - механізм формування теплових умов в зоні кристалізації монокристалів GaАs LEC методом; мета дослідження - розробка, на основі результатів моделювання і дослідження температурних полів та внутрішньої напруги в злитку, теплового вузла, що забезпечує вирощування злитків GaАs зі зниженим вмістом структурних дефектів. Методи дослідження базуються на фундаментальних положеннях теорії росту монокристалів напівпровідників з розплаву, теорії тепломасоперенесення, математичного моделювання, методу кінцевих елементів. Отримано аналітичні залежності оцінки впливу координат взаємного розташування конструктивних елементів на теплові потоки випромінювання в робочій зоні теплового вузла ростової установки. Отримано чисельно-аналітичне рішення задачі теплообміну на поверхні злитка. Розроблено метод оптимізації розмірів і розташування теплового екрану ростової установки за допомогою спеціальної чисельно-аналітичної теплової моделі і еволюційного алгоритму. Запропоновано нову модель теплового вузла. Результати можуть бути використані на підприємствах та у наукових установах, що займаються вирощуванням об'ємних монокристалів GaAs