Ніконова А. О. Омічні контакти типу Me-SiC для напівпровідникових приладів

Об'єкт - контактні системи типу метал до n- і p- SiC; предмет - технологія формування омічних контактів типу Ме-n- і p-SiC, що забезпечують оптимальні показники якості напівпровідникових приладів; методи - чотриризондовий метод, Оже-електронної спектроскопії та вторинної іонної масспекрометрії (ВІМС), рентгенівського фазового аналізу. Наукові результати: визначено залежність питомого перехідного опору омічних контактів до n-SiC на основі нікелю від температури відпалу; визначено діапазон температур відпалу (800 - 1400) 0С, що обумовлює формування невипрямляючих контактів на основі системи Ti-Al до p-SiC, величина питомого перехідного опору яких не залежить від температури відпалу; доведено, що на основі нікелю можуть бути виготовлені омічні контакти до напівпровідникового карбіду кремнію з питомим перехідним опором не більш ніж 2·10-4 Ом·см2 ; доведено, що на основі системи Ti-Al можуть бути виготовлені омічні контакти з питомим перехідним опором (1-2) 10-4 Ом·см2 до напівпровідникового карбіду кремнію у діапазоні концентрацій нескомпенсованої акцепторної домішки 1·1016см-3 - 1·1019см-3.; удосконалено метод вимірювання питомого перехідного опору омічних контактів до SiC. Розроблені технології виготовлення омічних контактів впроваджені у промислових умовах, використовуються у навчальному процесі та можуть бути використані при розробці нових приладів напівпровідникової галузі.