Батареєв В. В. Підвищення структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію, вирощених методом Чохральського з рідинною герметизацією

Дисертацію присвячено питанням створення експресних методів, обладнання контролю структурної досконалості монокристалів НІН GaAs і розробці на їх основі технологічних заходів щодо мінімізації термічної напруги і поліпшення структурної досконалості злитків НІН GaAs. Розроблено установку "Полярон" для експресного інтегрального контролю внутрішньої напруги в пластинах НІН GaAs із застосуванням інфрачервоної відео-системи, що дозволяє проводити моніторинг технологічного процесу. Розроблено локальний метод і автоматизовану установку "Полярон-2" із засто-суванням оптичного квантового генератора з =1,15 мкм для локального контролю внутрішньої напруги в НІН GaAs у межах до 8·107 Па. Вперше розроблено повну модель і алгоритм локального вимірювання розподі-лу внутрішньої напруги по площині пластини GaAs. Розроблено інтерфейс оператора автоматизованої вимірювальної установки "Полярон-2" з можливістю представлення результатів вимірювання внутрішньої на-пруги по площини пластини GaAs, а також форми розподілу ліній рівної напруги (ізобари) в площині пластини. Запропоновано оптимальний тепловий режим для фонового нагрівача, зануре-ного у рідкий герметизатор, при вирощування злитків НІН GaAs, а саме 980 С для стадії розрощування злитка і 1100 С для стадії вирощування циліндрової частини.