Лебедь О. М. Технологічні методи керування структурою епітаксійних шарів і монокристалів GaAs

Об'єкт - термообробка (ТО) та процеси кристалізації монокристалів, отриманих методом рідкофазної епітаксії (РФЕ). Мета - вставлення технологічних режимів керування структурними й електрофізичними параметрами монокристалів GaAs при ТО і РФЕ. Методи - апарат математичної фізики. Результати - дістали подальший розвиток уявлення про вплив стехіометрії і розподілу дислокацій на формування структурного стану монокристалів напівізолюючого нелегованого (НІН) GaAs в результаті ТО, що дозволяє керувати структурою монокристалів і отримувати більш відтворюванні результати при термічних відпалах. Розвинуто уявлення про вплив складу рідкої фази на структурний стан епітаксійних шарів (ЕШ) GaAs, вирощених методом РФЕ на основі ізовалентного метала-розчинника, що дає можливість одержувати ЕШ з новими електрофізичними параметрами. Удосконалено рішення математичної моделі ковзання дислокацій, за допомогою введення функції Ламберта, що дозволило проаналізувати умови застосування ізовалентного метала-розчинника при вирощуванні ЕШ методом РФЕ. Уперше теоретично проаналізовані й експериментально продемонстровані умови використання вісмутового розчину-розплаву при вирощуванні ЕШ GаАs зі зменшеною щільністю дислокацій, що проростають з підкладки. Впроваджено -. Дослідне виробництво ПП "Галар", м. Світловодськ. Галузь використання - виробництво напівпровідникових приладів і пристроїв