Кость Я. Я. Технологія вирощування мікровіскерів твердого розчину InAs1-xSbх для гальваномагнітних сенсорів

Дисертація присвячена проблемам технології отримання мікровіскерів твердого розчину InAs1-xSbx. Розроблена технологія забезпечує вільну кристалізацію твердого розчину з парової фази без наявності узгодженої за параметром гратки підкладки. Основними особливостями методу є (і) формування масивів нановіскерів у кінетичному режимі за механізмом "пара-рідина-кристал" (ПРК), (іі) створення технологічних умов для конкуруючого росту нановіскерів шляхом оствальдового дозрівання, (ііі) епітаксійне нарощування нановіскерів до розмірів мікровіскерів у дифузійному режимі. Виявлено, що відтворюваному формуванню масиву нановіскерів у кінетичному режимі їх росту сприяє присутність у паровій фазі кисню, та визначено його оптимальний вміст, який становить декілька ppm. Спроектовано та виготовлено комплект технологічного обладнання, який дозволяє практично реалізувати двостадійну технологію вирощування віскерів твердого розчину InAs1-xSbx в закритій та відкритій системах. Показано, що розроблена технологія дозволяє отримувати нано- і мікровіскери твердого розчину InAs1-xSbx з різним складом компонентів. Рентгеноструктурним аналізом віскерів твердого розчину InAs1-xSbx встановлено залежність параметру гратки від складу його компонентів. Дослідження електрофізичних параметрів вирощених віскерів (концентрації вільних носіїв заряду, рухливості, питомого опору), їх залежності від дестабілізуючих факторів (температури, іонізуючого опромінення) показали перспективність використання віскерів твердого розчину InAs1-xSbx для гальваномагнітних сенсорів.