Афанас'єва Т. В. Адсорбція та дифузія атомів елементів IV, V груп та кисню на поверхнях Si(001) і Ge(001) при малих ступенях покриття.

В дисертації досліджено механізм впливу адсорбції чужорідних атомів на властивості поверхонь кремнію та германію, які найчастіше використовуються в сучасній мікро- та наноелектроніці. В роботі досліджувались процеси адсорбції та коадсорбції атомів елементів V групи (As, Sb та Bi) та кисню на поверхні Si(001), дифузії аддимерів Bi на поверхні Si(001) та аддимерів Si, Ge на поверхні Ge(001), що застосовуються в процесах гетероепітаксії та впливають на хімічні властивості поверхні. Запропоновано модель взаємодії адатомів кисню з поверхнями Si(001), вкритих атомами металів V-групи (As, Sb та Bi). На основі цієї моделі пояснено залежність активності системи M/Si(001) відносно взаємодії з киснем. В роботі знайдено величини енергетичних бар'єрів елементарних актів дифузії аддимерів Si, Ge на поверхні Ge(001) та Bi на поверхні Si(001). Розраховані величини бар'єрів дифузії узгоджуються з величинами, що були отримані експериментально за допомогою скануючої тунельної мікроскопії.