Ніконов А. Ю. Технологія одержання кремнієвих приладових структур підвищеної якості з використанням високоенергетичних джерел випромінювання і відновлюваних термообробок

Здійснено аналіз можливостей отримання високолегованих шарів з використанням високоенергетичних джерел випромінювання та термообробки для далекого ІЧ-діапазону з малою концентрацією домішок. Розроблено комп’ютерну модель процесів захоплення домішки фосфору в процесі високоенергетичної імплантації кремнію на межі розділу, модель просторового розподілу вільних носіїв, що генеруються в напівпровіднику випромінюванням, які дозволили запропонувати рекомендації щодо проведення процесів легування домішками та оптимізації технологічних параметрів. Розроблено технологію виготовлення приладових кремнієвих структур методом іонної імплантації з двоступеневим електронним відпалом, яка дозволяє отримати максимальні концентрації домішок, що значно (2,5 рази) перевищує межу рівноважної розчинності. Проведено експериментальну перевірку, яка їх підтвердила