Зубко Є. І. Технологія виготовлення контактних систем монокристалічних кремнієвих сонячних елементів на пористому кремнії

Дисертацію присвячено технології виготовлення контактних систем монокристалічних кремнієвих сонячних елементів на пористому кремнії. В роботі отримала подальший розвиток технологія формування багатокомпонентних електронних приладових композицій РсCu/ПК/n-Si і РсAl/ПК/n- Si, за якою на поверхні ПК стало можливим отримувати покриття зшитої структури, що представляють собою переплетені, хаотично розташовані волокна (діаметр 150-300 нм та довжиною 1 мкм). В результаті були розроблені СЕ із структурами Сu/РсСu/ПК/n-Si/p-Si/p+-Si/ITO і Al/РсAl/ПК/n-Si/p-Si/p+-Si/ITO з ККД 16,01 % і 15,8 %, фактором заповнення 0,79 і 0,74 відповідно, затіненням контактною мережею, що не перевищує 1 %. Доповнено наукові дані про значення опорів розтікання (Rp) і металізації (Rм) для структур Сu/РсСu/ПК/ n-Si/p-Si/p+-Si/ITO і Al/РсAl/ПК/n-Si/p-Si/p+-Si/ITO, що характеризуються зниженням опору розтікання в 4 рази і 2,6 разів відповідно та підвищенням опору металізації в 3700 разів відносно Сu/n-Si/p-Si/p+-Si/ITO і Al/n-Si/p-Si/p+-Si/ITO.