Блажевич С. В. Угловая структура тормозящего гамма-излучения и рассеивания релятивистскихэлектронов при взаимодействии с монокристаллами

Объект исследования: Взаимодействие релятивистских электронов с ориентированными кристаллами разной толщины. Цель исследования: Исследования угловой структуры рассеивания релятивистских электронов в кристаллах и сопровождающего гамма-излучения, а также ионизационных затрат энергии электронов в зависимости от ориентации кристалла. Методы исследования и аппаратура: Методика регистрации углового рассеивания с высоким (10 в минус пятой степени радиан) разделением и тормозящего излучения релятивистских электронов в кристалее с использованием малогабаритного детектора; акустическая методика исследования ионизационных затрат энергии. Теоретические результаты и новизна: Выявлен ряд новых особенностей рассеивания релятивистских электронов в тонких клисталлах. Дополнительно исследована угловая структура гамма-излучения. Показана основная роль надбарьерных электронов. Исследованы ионизационные потери в кристаллах. Практические результаты и новизна: Полученные результаты могут иметь значительную ценность в ришении проблемы создания источника гамма-квантов на основании взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Сфера (область) использования: ХГУ, КГУ, ИЯИ АН Украины, МГУ, МИЯИ, ОИЯИ (Дубна), ИФВЭ (Серпухов), РНЦ "Курчатовский институт", ИЯИ при Томском ун-те.