Хасанов А. Т. Разработка опытно-промышленной технологии выращивания монокристаллов Pb1-х SnxTe и PbSe2Te1-2
English versionДисертація на здобуття ступеня
Державний реєстраційний номер
0496U003113
Здобувач
Спеціальність
- 05.27.03 -
24-05-1996
Спеціалізована вчена рада
Д 19.01.07
Анотація
Схожі дисертації
0496U004178
Смирнов Николай Николаевич
Физико-химические особенности получения кристаллов галогенидов щелочных и щелочноземельных элементов
0595U000713
Байцар Роман Иванович
Разработка полупроводниковых вибрационно-частотных сенсоров и оптимизация их характеристик
0496U002085
Белей Мирон Иванович
Выращивание и свойства эпитаксиальных слоев теллурид олова - селенид свинца и создание диодов Шоттки на их основе
0596U000402
Карачевцева Людмила Анатольевна
Физико-технлогическая оптимизация параметров ИК-фоточувствительных кристаллов и структур на основе твердых растворов CdHgTe
0596U000091
Мошель Николай Васильевич
Нематические жидкие кристаллы в неразрушающем контроле материалов и изделий микроэлектроники