Карачевцева Л. А. Физико-технлогическая оптимизация параметров ИК-фоточувствительных кристаллов и структур на основе твердых растворов CdHgTe

Объект исследования: Твердый раствор теллурида кадмия-ртути. Цель исследования: Разработка методов получения пороговой эффективности детектирования ИК-излучения. Методы исследования и аппаратура: Эффект холла, ультразвук, лазеры, фотопроводимость, фотолюминесценция, вольт-фарадные характеристики, термоэмиссионные токи. Теоретические результаты и новизна: Закономерности влияния дефектов нестехиометрии на процессы переноса и рекомбинации носителей заряда. Практические результаты и новизна: Новые методы повышения фоточувствительности и контроля параметров CdHgTe. Предмет и степень внедрения: Новый материал, методики контроля и обработки. Эффективность внедрения: 1120 тыс. руб /в ценах 1990 г./. Сфера (область) использования: Электронная помышленность /ИК-фотоэлектроника/, физика узкозонных полупроводников.