Бобренко Ю. Н. Разаботка технологии и исследование фотоэлектричесикх особенностей в поверхностно-барьерных структурах

Объект исследования: Поверхностно-барьерные структуры на основе гетеропереходов р-Cu S-n-CdS b p-Cu S-nCdSe. Цель исследования: Разработка технологии и исследование фотоэлектрических явлений в поверхносно-барьерных структурах. Методы исследования и аппаратура: Оптические, электрические, фотоэлектрические методы. Теоретические результаты и новизна: Исследована фотоэмиссия горячих электронов из сверхтонких слоев Cu S в CdS. Практические результаты и новизна: Созданы высокоэффективные приемники ультрафиолетового излучения. Предмет и степень внедрения: На ПО "Октава"выпуск малых серий приемников УФ радиации типа ФПД-1. Эффективность внедрения: Использование в приборах "Анализатор ТОН_420" ТУ-УЗ.27-00230013-123-94. Сфера (область) использования: Промышленная электроника, научное приборостроение, медицина, экология.