Дмитриева Л. Б. Исследование поверхностно-контактных явлений и переходных процессов в микроэлектронных композициях на основе GaAs

Объект исследования: Технология изготовления микроэлектронных композиций на основе арсенида галлия. Цель исследования: Разработка технологии изготовления барьеров Шоттки и омических контактов с заданными показателями качества. Методы исследования и аппаратура: Спецвариант методики контроля ВАХ контактов методики структурных исследований, РЭМН-2, УВМ-100К, 4-х зондная установка. Теоретические результаты и новизна: Разработана модель формирования микроэлектронной композиции Ag-Ge-Jn/n-GaAs. Практические результаты и новизна: Определены условия реализации заданных показателей качества и технологичности режимов термоотжига для Ag/n-GaAs(111) и Ag-Ge-Jn/n-GaAs. Предмет и степень внедрения: Технология внедрена на п/я А-7139, г.Щелково Московской области. Эффективность внедрения: 100 тыс. руб в год (в ценах 1990 года). Сфера (область) использования: Электронная техника.