Шкумбатюк П. С. Структурные изменения в полупроводниках типа А2В6 под действием СО2-лазерного излучения и их использование для получения барьерных структур

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U004070

Облікова картка дисертації

0497U004070.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.03 -

05-12-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 04.06.18

Анотація

Объект исследования: Полупроводниковые материалы А2В6. Цель исследования: Влияние непрерывного СО2-лазерного излучения на электрофизические свойства и получение барьерных структур. Методы исследования и аппаратура: Облучение СО2-лазером. Измерение ВАХ и ВФХ характеристик. Практические результаты и новизна: предложено новый способ изготовления барьерных структур. Сфера (область) использования: Микроэлектронные приборы.

Читати повністю

Схожі дисертації

0496U004178

Смирнов Николай Николаевич

Физико-химические особенности получения кристаллов галогенидов щелочных и щелочноземельных элементов

0595U000713

Байцар Роман Иванович

Разработка полупроводниковых вибрационно-частотных сенсоров и оптимизация их характеристик

0496U003113

Хасанов Ахат Тагирович

Разработка опытно-промышленной технологии выращивания монокристаллов Pb1-х SnxTe и PbSe2Te1-2

0496U002085

Белей Мирон Иванович

Выращивание и свойства эпитаксиальных слоев теллурид олова - селенид свинца и создание диодов Шоттки на их основе

0596U000402

Карачевцева Людмила Анатольевна

Физико-технлогическая оптимизация параметров ИК-фоточувствительных кристаллов и структур на основе твердых растворов CdHgTe