Бойко Т. Г. Низкотемпературная диффузия фосфора в кремний с твердых планарных источников

Объект исследования: Твердый планарный источник /ТПИ/ примеси фосфора для диффузионных процессов легирования кремния. Цель исследования: Определение основных эксплуатационных характеристик ТПИ, получение неглубоких диффузионных слоев фосфора в кремнии. Методы исследования и аппаратура: Дифференциально-термический анализ, Q-1500 D; дилатометрические исследования, ДКВ-5А, рентгенофазный анал. ДРОН-3М. Теоретические результаты и новизна: Определено ресурс работы, легирующую способность ТПИ, массоотдачу поверхностного диффузанта, расчетный диф. профиль. Практические результаты и новизна: Разработана технология изготовления нового низкотемпературного ТПИ; установлено, что его использование дает возможность повысить прооизводительность и воспроизводимость процессов легирования кремния фосфором. Предмет и степень внедрения: ТПИ использованы при изготовлении полупроводниковых изделий АТ "Родон" г. Ив.-Франковск, ВАТ "ЦКБ Ритм" г. Черновцы. Сфера (область) использования: Полупроводниковые и микроэлектронные предприятия.