Коваленко М. Й. Вплив опромінення на компоненти радіоелектронної аппаратури і розробка методів підвищення їх радіаційної стійкості

Об'єкти: біполярні і уніполярні інтегральні схеми та їх тест-комірки. Мета: розробка промислових технологій виготовлення інтегральних мікросхем підвищеної радіаційної стійкості.Вікористовувалися стандартні методи вимірювання параметрів та методи статистичного і фізико-електричного моделювання. Розроблено технології підвищення радіаційної стійкості виробів мікроелектроніки та технологія виготовлення мікронних діафрагм. Новизна полягає в системному підході та у використанні нових технологій. Достовірність обумовлено результатами, одержаними для великих партій виробів. Впроваджено в ХДУ, НДТІП (м.Харків). Використовувати для виробництва інтегральних схем та їх застосування