Каверцев С. В. Теоретичні аспекти технології вирощування та наступної обробки напівпровідникових твердих розчинів на основі сполук AIIBVI

Об’єкт дослідження - вузькощілинні напівпровідники AIIBVI. Мета роботи - аналіз та вирішення теоретичних проблем вирощування та подальшої обробки вузькощілинних напівпровідників AIIBVI. Методи дослідження - теоретичний аналіз умов фазової рівноваги, гальваномагнітні дослідження епітаксійних плівок, математичне моделювання процесів дифузії. Показано, что пружні напруги в епітаксійних плівках (Hg,Mn)Te, що їх вирощено з рідкої фази, не впливають на частку марганцю в твердому розчині. Розраховано солидус трьохкомпонентної системи Hg-Mn-Te. Встановлено, що присутність прехідного шару між підкладкою та плівкою призводить до зростання концентрації носіїв в епітаксійному шарі (Hg,Mn,Cd)Te/(Cd,Zn)Te n-типу та зменшення їх рухливості. Одержані результати можуть бути використані при розробці нових технологій вирощування та подальшої обробки вузькощілинних напівпровідників AIIBVI.