Круковський С. І. Комплексно леговані структури на основі А3В5

Розроблено і реалізовано, на основі методу РФЕ, концепцію впливу на домішково-дефектну систему епітаксійних шарів та структур А3В5 комплексним легуванням хімічними елементами різного функціонального призначення, одні із котрих виконують роль гетерів неконтрольованих домішок, інші - підсилювачів ефекту гетерування. На прикладі сполук GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs, InGaAsP досліджено основні закономірності впливу комплексного легування рідкісноземельними та ізовалентними ементами на їх фотолюмінесцентні, кінетичні та структурні властивості. Визначено оптимальні кількісні співвідношення між рідкісноземельними та ізовалентними елементами у розплаві, при котрих параметри епітаксійних шарів, отриманих методом РФЕ, є найкращими. Запропоновано механізм очистки епітаксійних шарів А3В5 під впливом комплексного легування. Отримані результати лягли в основу нових технологічних підходів до формування приладних епітаксійних структур А3В5 з покращеними характеристиками.