Табрізі М. . Вплип багаторазового розсіяння на ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання назад

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U004572

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.16 - Фізика ядра, елементарних частинок і високих енергій

29-10-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 64.051.12

Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна

Анотація

Об'єкт дослідження - ширина лінії параметричного рентгенівського випромінювання назад. Мета роботи - теоретичне дослідження впливу багаторазового розсіяння релятивистських електронів у кристалі на їхнє параметричне рентгенівське випромінювання назад при падінні частинок під малим кутом до однієї з кристалографічних осей. Методом функціонального інтегрування досліджено вплив когерентного і некогерентного розсіяння електронів у кристалі на ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання назад з урахуванням обмеженої товшини кристалу. Передбачено ефект розщеплення лінії параметричного рентгенівського випромінювання на декілька компонентів.

Файли

Схожі дисертації